电真空玻璃是制造电真空器件的主要材料之一，它广泛应用于真空电子技术、微电子技术、激光和红外技术、电光源、高能物理等方面。高硼硅碎玻璃在制造太阳能真空管时，高硼硅玻璃-金属封接是关键技术之一。

　　由于高硼硅玻璃不能塑性变形，与金属性质差异大，为获得与金属的气密性封接，首先必须解决高硼硅碎玻璃的金属化问题。而化学镀由于具有适用范围广，可在常用金属及经特殊处理的非导体和半导体材料表面沉积出金属或合金镀层等优点，有望解决此问题。因此，研究高硼硅玻璃表面化学镀Ni-P合金工艺对太阳能真空管的制造有参考价值。

　　目前，关于玻璃化学镀的报道中，化学镀基体大多为普通玻璃纤维，且前处理时未使用喷砂工艺。本文在前处理时采用喷砂工艺对高硼硅碎玻璃进行表面粗化，而后在高硼硅玻璃表面沉积一层Ni-P合金镀层的工艺方法有一定的新颖性。

　　1.镀层结合力测试

　　未进行喷砂而只是酸蚀粗化的试片镀层虽表面光亮，但有鼓泡、起皮、镀覆不完整等缺陷，且镀层易剥落，结合力弱。通过划痕试验测试，试样镀层无脱皮、脱落现象，表明镀层的附着性能良好。

　　试验结果表明，喷砂工艺能大幅提高镀层和高硼硅碎玻璃基体间的结合力。原因是玻璃表面在喷砂后形成许多小凹坑，经敏化活化后，这些小凹坑成为化学镀过程中的活性点，提高了玻璃表面的可镀性，使镀覆更完整。另外，由于小凹坑的存在，使得镀层和高硼硅碎玻璃基体间形成了相互铆合的机械力，大大增强了镀层的结合力。

　　2.镀速测定

　　高硼硅碎玻璃镀层厚度约20μm，而化学镀施镀时间为1h，由公式可得镀速为20μm/h。一般工业上酸性化学镀镍镀速为8~25μm/h。因此，本实验的化学镀镍镀速符合工业上的要求，实验工艺对于工业应用有参考价值。

　　3.镀层形貌及成分测定

　　由于施镀时间不足，玻璃表面镀层有许多的细小裂纹，存在明显缺陷。相比较，高硼硅碎玻璃表面镀层致密，不存在微小裂纹。结果表明，施镀时间过短，镀层将出现裂纹等缺陷。当施镀时间达到1h，即可获得质量较高的镀层。

　　主峰为镍峰和磷峰而没有其它微量元素峰，说明玻璃表面化学镀层的成分为Ni、P两种元素，其中Ni质量分数为82.49%，P质量分数为17.51%。而P含量大于12%，属于高磷镀层。

　　高硼硅碎玻璃研究表明：高磷镀层的耐还原性酸和盐雾环境的腐蚀性能要优于低磷镀层，这是由于Ni-P键的结合强度比Ni-Ni键的结合强度高，并且当P含量为12%左右时，Ni-P键的数量达最多。由于玻璃基体能与氢氟酸等腐蚀介质反应，因此高磷镀层在实现高硼硅碎玻璃表面金属化的同时，也能提高基体在酸性介质中的耐蚀性。另外，高磷镀层属非磁性，广泛用于计算机工业中。

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