高硼硅碎玻璃能不能熔化出高质量的玻璃，其中很重要的一点就是温度制度的稳定控制。由于硼硅玻璃粘度大、熔化温度高的特性，采用电熔是目前熔化出优质硼硅玻璃的一种很好方案。高硼硅碎玻璃影响热点的几个因素及控制方案：

　　1、料层控制

　　配合料层是电熔窑工艺控制的重要参数，它的厚度应根据玻璃品种不同而有所不同。钠钙玻璃可以控制在20～30cm，硼硅玻璃最好控制在8～15cm。高硼硅碎玻璃随着配合料深度的增加，配合料的温度逐步上升，当达到某一深度时，温度急剧升高。

　　料毯层的作用，一方面促使低温液相的形成，加速玻璃熔化；另一方面阻挡了B2O3、F-、CL-等挥发并起到了很好的隔热作用。高硼硅碎玻璃如果料层太薄或者根本形不成料毯层，那么在相同输入功率的情况下会有很大一部分功率作为热损失而消耗掉，使实际用来熔化和澄清玻璃的有效功率就大大降低。

　　如果料层太厚，实际料毯层与上层电极间的距离缩短，熔化澄清时间相对缩短。最上层电极间的玻璃液温度下降，电阻增大，输入功率下降，热点下移，下层电极的电阻迅速降低，产生局部过热，不加以控制有可能出现烧毁耐火材料的严重事故。高硼硅碎玻璃料层过厚也易使池壁结拱，产生下部玻璃液不受压，料层与玻璃液之间形成空壳，甚至产生料道流空的严重事故。

　　2、电极布置和插入深度

　　高硼硅碎玻璃电极的布置和插入深度是电熔窑设计的核心技术。目前电极的插入方式有顶插、平插、底插几种；电极形状分棒电极、板电极、塞状电极等。各种电极各有利弊，怎样取舍应根据玻璃品种、熔窑产量等来定。

　　熔化硼硅玻璃的电熔窑，主电极一般采用U50、U60或U75mm的棒状电极，底插电极插入深度在500～750mm，平插电极在300～500mm。为了增加熔化澄清时间，一般采用较深的池深（3t窑超过1.2m，5t窑超过1.4m，15t窑超过2m）。高硼硅碎玻璃为了强化热点，即尽可能方便地提高熔制温度，要求主电极（占主要熔化功率的电极）不能插入过浅。

　　3、动态下的电热平衡

　　简单讲，就是输入的功率应随时与出料量保持一致。虽然电熔窑有最高出料量和最低出料量的限制，但相比火焰窑来讲，它的调整余地还是足够大的。高硼硅碎玻璃只是要求在出料量发生变化时应同步调整功率，保持单耗的稳定。

　　这里要指出一点，单耗的稳定并不是说在不同的产量下单耗是一成不变的；而应该是同一座窑出料量越大、单耗越低，出料量越小单耗越高。如果出料量增加较多，输入功率不变，料层就会变厚，热点在相对快速的生产流的影响下会快速下沉，熔化澄清时间缩短；如果出料量降低较多，输入功率不变，料毯层就会退缩，散热就会加大，热点自然会上移，造成料毯层的不稳定高硼硅碎玻璃。

　　所以，在正常生产的情况下，要尽量保持出料量不变、输入功率不变，这样控制起来相对就简单、省心。

　　4、合理的配方对热点的影响

　　高硼硅碎玻璃用火焰窑熔化硼硅玻璃时，过高的火焰温度对窑体砖的耐火度要求很高。为了达到相对低温熔化的目的，玻璃工艺师就想尽办法通过增加助熔剂来降低熔化温度。但这样一来使玻璃的一系列物理化学性能变坏，如强度、硬度和热稳定性降低。电熔窑属内部直接加热，容易达到高的熔化温度，所以在许可的情况下应尽量降低硝酸盐等低熔点氧化物的使用量，这样既提高了玻璃的物理化学性能，又保持了明朗的冷配合料层、热配合料层、硅酸盐形成层、玻璃熔融层等的区间分布。

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