高硼硅碎玻璃本文主要提出了一种玻璃衬底的工艺方法，其不仅具有较高的刻蚀速率，而且还可以提高玻璃衬底相对于掩膜的刻蚀选择比。为实现本发明的目的而提供一种玻璃衬底的工艺方法，包括以下步骤：

　　氧化步骤，向所述反应腔室内通入氧气，并开启激励电源，或者同时开启偏压电源，以对玻璃衬底表面上的掩膜进行氧化，从而在所述掩膜表面形成氧化层；高硼硅碎玻璃刻蚀步骤，向所述反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以对玻璃衬底表面进行刻蚀，并在所述氧化层被完全消耗时停止向所述反应腔室内通入刻蚀气体，并关闭激励电源和偏压电源；交替进行所述氧化步骤和刻蚀步骤，直至达到预定刻蚀深度。

　　其中，所述掩膜的材料包括铝。在所述氧化步骤中，所述氧气的流量范围在10~2000sccm。所述氧气的流量范围在50~500sccm。所述激励电源输出激励功率的范围在100~5000W，所述偏压电源输出偏压功率的范围在0~500W。所述激励电源输出激励功率的范围在1500~3000W，所述偏压电源输出偏压功率的范围在0~50W。高硼硅碎玻璃在所述刻蚀步骤中，所述刻蚀气体包括氟化物。所述刻蚀气体的流量范围在10~2000sccm。所述刻蚀气体的流量范围在50~500sccm。所述激励电源输出激励功率的范围在100~5000W，所述偏压电源输出偏压功率的范围在50~1000W。所述激励电源输出激励功率的范围在1500~3000W，所述偏压电源输出偏压功率的范围在200~500W。

　　其中，在进行所述氧化步骤之前，还包括下述步骤：掩膜沉积步骤，在玻璃衬底表面沉积所述掩膜；图形定义步骤，使用光刻胶在掩膜表面上定义待刻蚀的图形；掩膜刻蚀步骤，刻蚀掩膜，以将所述光刻胶的图形复制到所述掩膜上；光刻胶去除步骤，去除光刻胶。高硼硅碎玻璃其中，在交替进行所述氧化步骤和刻蚀步骤，直至达到预定刻蚀深度之后，还包括下述步骤：掩膜去除步骤，去除玻璃衬底表面上的掩膜。

　　高硼硅碎玻璃本发明具有以下有益效果：本发明提供的玻璃衬底的工艺方法，其借助氧化步骤对玻璃衬底表面上的掩膜进行氧化，以在该掩膜表面形成氧化层，该氧化层可以在进行刻蚀步骤时保护掩膜不被刻蚀，从而可以增加等离子体对玻璃衬底表面的刻蚀，而减少等离子体对掩膜表面的刻蚀。也就是说，在同一刻蚀时间内，不仅可以获得更大的刻蚀深度，而且可以降低掩膜的损耗，进而可以增加玻璃衬底相对于掩膜的刻蚀选择比和刻蚀速率。高硼硅碎玻璃通过使刻蚀步骤在氧化层被完全消耗时停止刻蚀，并在此时切换至氧化步骤重新形成氧化层，可以保证在完成总刻蚀深度的过程中掩膜表面始终存在氧化层，从而可以保证整个刻蚀过程始终具有较高的刻蚀速率和刻蚀选择比。

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