东阿县刘集镇兴旺物资处

长期供应并求购高硼硅碎玻璃、高硼硅玻璃渣,电光源玻璃,药用玻璃,各种特种玻璃等,另销售回收血粉、玉米蛋白粉、酵

供应商信息

联 系 人: 赵绪旺  先生

电    话: 登录可见

移动电话: 登录可见

公司认证: [已认证]

诚信指数: 5

范    围: 长期供应并求购高硼硅碎玻璃、高硼硅玻璃渣,电光源玻璃,药用玻璃,各种特种玻璃等,另销售回收血粉、玉米蛋白粉、酵母粉等各种饲料原料,量大价优,欢迎来电垂询!

所在地区:

收藏商铺
供求搜索
友情链接
联系方式

东阿县刘集镇兴旺物资处[已认证]

联  系  人: 赵绪旺  先生

电       话: 登录可见

移动电话: 登录可见

邮       箱: 登录可见

Q        Q: 登录可见

M   S   N: 登录可见

微 信 I D: 登录可见

传       真: 登录可见

地       址: 山东省聊城东阿县

公司主页: xingwwz.zz91.com

您所在的位置:首页 > 公司动态 > 高硼硅碎玻璃衬底的工艺方法

高硼硅碎玻璃衬底的工艺方法

时间:2021-11-30 作者:91再生 来源:91再生网

 

  高硼硅碎玻璃本文主要提出了一种玻璃衬底的工艺方法,其不仅具有较高的刻蚀速率,而且还可以提高玻璃衬底相对于掩膜的刻蚀选择比。为实现本发明的目的而提供一种玻璃衬底的工艺方法,包括以下步骤:

  氧化步骤,向所述反应腔室内通入氧气,并开启激励电源,或者同时开启偏压电源,以对玻璃衬底表面上的掩膜进行氧化,从而在所述掩膜表面形成氧化层;高硼硅碎玻璃刻蚀步骤,向所述反应腔室内通入刻蚀气体,并开启激励电源和偏压电源,以对玻璃衬底表面进行刻蚀,并在所述氧化层被完全消耗时停止向所述反应腔室内通入刻蚀气体,并关闭激励电源和偏压电源;交替进行所述氧化步骤和刻蚀步骤,直至达到预定刻蚀深度。

  其中,所述掩膜的材料包括铝。在所述氧化步骤中,所述氧气的流量范围在10~2000sccm。所述氧气的流量范围在50~500sccm。所述激励电源输出激励功率的范围在100~5000W,所述偏压电源输出偏压功率的范围在0~500W。所述激励电源输出激励功率的范围在1500~3000W,所述偏压电源输出偏压功率的范围在0~50W。高硼硅碎玻璃在所述刻蚀步骤中,所述刻蚀气体包括氟化物。所述刻蚀气体的流量范围在10~2000sccm。所述刻蚀气体的流量范围在50~500sccm。所述激励电源输出激励功率的范围在100~5000W,所述偏压电源输出偏压功率的范围在50~1000W。所述激励电源输出激励功率的范围在1500~3000W,所述偏压电源输出偏压功率的范围在200~500W。

  其中,在进行所述氧化步骤之前,还包括下述步骤:掩膜沉积步骤,在玻璃衬底表面沉积所述掩膜;图形定义步骤,使用光刻胶在掩膜表面上定义待刻蚀的图形;掩膜刻蚀步骤,刻蚀掩膜,以将所述光刻胶的图形复制到所述掩膜上;光刻胶去除步骤,去除光刻胶。高硼硅碎玻璃其中,在交替进行所述氧化步骤和刻蚀步骤,直至达到预定刻蚀深度之后,还包括下述步骤:掩膜去除步骤,去除玻璃衬底表面上的掩膜。

  高硼硅碎玻璃本发明具有以下有益效果:本发明提供的玻璃衬底的工艺方法,其借助氧化步骤对玻璃衬底表面上的掩膜进行氧化,以在该掩膜表面形成氧化层,该氧化层可以在进行刻蚀步骤时保护掩膜不被刻蚀,从而可以增加等离子体对玻璃衬底表面的刻蚀,而减少等离子体对掩膜表面的刻蚀。也就是说,在同一刻蚀时间内,不仅可以获得更大的刻蚀深度,而且可以降低掩膜的损耗,进而可以增加玻璃衬底相对于掩膜的刻蚀选择比和刻蚀速率。高硼硅碎玻璃通过使刻蚀步骤在氧化层被完全消耗时停止刻蚀,并在此时切换至氧化步骤重新形成氧化层,可以保证在完成总刻蚀深度的过程中掩膜表面始终存在氧化层,从而可以保证整个刻蚀过程始终具有较高的刻蚀速率和刻蚀选择比。

  本文就介绍到这里,大家可以进行适当参考。如果你想了解更多关于高硼硅碎玻璃资讯,可以联系东阿县刘集镇兴旺物资处,联系人:赵绪旺先生,联系方式:13506359763。
返回公司动态

扫码关注
随时查看商机